描述
大恒光电 偏压探测器
DH-GDT系列 硅基/InGaAs 400-1700nm 高带宽
大恒光电偏压探测器专为高速光电检测设计，该系列探测器基于PIN光电二极管，具有高带宽、低电容特性，适用于光纤通信、超快激光检测等高频应用。偏压探测器内部不带放大电路，但可以实现信号快速测量响应。偏压探测器分为硅基（波长400-1100nm）和InGaAs（波长900-1700nm）两种类型。
偏压探测器分为硅基（波长400-1100nm）和InGaAs（波长900-1700nm）两种类型。偏压硅基探测器包括低速探测器DH-GDT-D801VB，快速探测器DHGDT-D007VB。偏压InGaAs 探测器包括DH-GDT-D007NB。
本探测器预留SM1转接口，底端有M4螺纹孔，既可以直接用支杆支撑使用，也兼容30mm同轴。
参数：
型号 | DH-GDT-D007VB | DH-GDT-D007NB | DH-GDT-D801VB |
探测器类型 | Si-PIN | Si-PIN | InGaAs |
响应时间(ns@100mVp-p) | 0.5ns | 20ns | 0.5ns |
波长范围 | 500-1050nm | 900-1700nm | 400-800nm |
灵敏度(mV/pW,MAX) | 0.00033mV/pW | 0.00094mV/pW | 3.3mV/pW |
增益(Ohm) | NA | NA | 1000 |
饱和光功率 | ≤0.1w/cm² | ≤45.3w/cm² | NA |
靶面直径(mm) | 0.1mm | 0.075mm | 5×5 |
带宽Hz | 1GHz | 1GHz | 100K |
上升沿(ns@100mVp-p) | 0.5 | 0.5 | NA |
光纤偏压快速光电探测器：DH-GDT-D1XXXBFC是一系列光纤偏压快速光电探测器，用于探测200nm-1700nm的光信号。这系列光电探测器外壳采用全导电处理，更好的屏蔽外界干扰。电路采用射频电路设计，更好的适用于快速波形的测量。电路内部设计有专门的稳压电路，既可以使用12V23A小电池供电，也可以使用12V电源适配器供电，输出接口为通用的SMA接口，匹配50欧的SMA转BNC同轴电缆使用。
光纤偏压快速光电探测器型号：DH-GDT-D101NBFC；DH-GDT-D102NBFC；DH-GDT-D101VBFC；DH-GDT-D101UBFC：
参数：
型号 | DH-GDT-D101NBFC | DH-GDT-D102NBFC | DH-GDT-D101VBFC | DH-GDT-D101UBFC |
波长范围 | 800-1700(nm) | 800-1700(nm) | 400-1100(nm) | 200-1100(nm) |
带宽 | 5GHz | 2GHz | 1.5GHz | 0.3GHz |
输出接口 | SMA(DC耦合) | SMA(DC耦合) | SMA(DC耦合) | SMA(DC耦合) |
工作环境温度 | 0~+50℃ | 0~+50℃ | 0~+50℃ | 0~+50℃ |
存储环境温度 | -25~+70℃ | -25~+70℃ | -25~+70℃ | -25~+70℃ |
探测面直径 | 0.04mm | 0.075mm | 0.5X0.5mm | 1X1mm |
供电 | 12V电池或12V适配器 | 12V电池或12V适配器 | 12V电池或12V适配器 | 12V电池或12V适配器 |
尺寸 | 60X50X27 | 60X50X27 | 60X50X27 | 60X50X27 |
结电容 | 0.4(Typ.5V、1MHz)pF | 1(Typ.5V、1MHz)pF | 1.5(Typ.5V、1MHz)pF | 4.5(Typ.5V、1MHz)pF |
上升沿时间 | 0.06ns | 0.14ns | 0.25ns | 0.6ns |
暗电流 | 0.015(Typ.5V)nA | 0.018(Typ.5V)nA | 0.05(Typ.5V)nA | 0.02 (Typ.5V)nA |
偏压 | 5V | 5V | 8V | 8V |
类型 | InGaAs | InGaAs | Si | Si |
偏压快速光电探测器：DH-GDT-D1XXXB是一系列偏压快速光电探测器，用于探测200nm-1700nm的光信号。这系列光电探测器外壳采用全导电处理，更好的屏蔽外界干扰。电路采用射频电路设计，更好的适用于快速波形的测量。电路内部设计有专门的稳压电路，既可以使用12V23A小电池供电，也可以使用12V电源适配器供电，输出接口为通用的SMA接口，匹配50欧的SMA转BNC同轴电缆使用。本探测器预留SM1内螺纹转接口，可以用来安装大恒光电提供的其他适合SM1转接的配件。该系列探测器既可以直接用套筒支杆（M4螺纹孔）支撑使用，也兼容30mm笼式结构使用。
特点：
- 探测200nm-1700nm的光信号
- 外壳采用全导电处理，更好的屏蔽外界干扰
- 电路采用射频电路设计，更好的适用于快速波形的测量
- 既可以使用12V23A小电池供电，也可以使用12V电源适配器供电
- 适用于空间光束探测（SM1接口可用于光纤光束探测）
参数：
型号 | DH-GDT-D107UB | DH-GDT-D103VB | DH-GDT-D105VB | DH-GDT-D106VB | DH-GDT-D106NB | DH-GDT-D107NB |
波长范围 | 200-1100 nm | 400-1100 nm | 400-1100 nm | 400-1100 nm | 900-1700 nm | 800-1700nm |
峰值波长 | 730 nm | 740 nm | 740 nm | 950nm | 1550 nm | 1550 nm |
带宽 | 1 GHz | 2.5 GHz | 2.5 GHz | 0.0005 GHz | 1GHz | 0.04 GHz |
探测器类型 | Si | Si | Si | Si | INGaAs | INGaAs |
探测面直径 | 1 mm | 0.15 mm | 0.25 mm | 2.5X2.5 mm | 0.055 mm | 1mm |
输出接口类型 | SMA(DC耦合) | |||||
供电 | 12V电池或12V适配器 | 2V电池或12V适配器 | 12V电池或12V适配器 | 12V电池或12V适配器 | 12V电池或12V适配器 | 12V电池或12V适配器 |
存储温度 | -25~+70℃ | -25~+70℃ | -25~+70℃ | -25~+70℃ | -25~+70℃ | -25~+70℃ |
尺寸 | 63X51X27mm | |||||
工作温度 | 0~+50℃ | 0~+50℃ | 0~+50℃ | 0~+50℃ | 0~+50℃ | 0~+50℃ |
峰值波长响应度 | 0.44 A/W | 0.36 A/W | 0.48 A/W | 0.6 A/W | 0.9 A/W | 0.9 A/W |
结电容 | 6(Typ.10V)pF | 0.65(Typ.5V)pF | 0.94(Typ.5V)pF | 20(Max.5V) | 0.6(Max.5V)pF | 75(VR=-5V) |
上升沿时间 | 1 ns | 0.035 ns | 0.047 ns | 5ns | 0.4 ns | 10 ns |
下降沿时间 | 1ns | 0.200 ns | 0.246ns | / | 0.4 ns | / |
暗电流 | 0.3 nA(Typ.10V)nA | 0.03 nA (Typ.5V)nA | 35 pA(Typ.5V)nA | 0.2(VR=-5V) | 0.5(Max.VR=-5V)nA | 1(VR=-5V) |
偏压 | 8V | 8V | 8V | 8V | 8V | 8V |
