石墨烯 霍尔效应传感器 超低温 超高分辨率 低噪声

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描述

石墨烯 霍尔效应传感器

超低温 超高分辨率 低噪声特性

霍尔效应传感器基于先进石墨烯材料,具备超高分辨率与超低噪音性能,可在<1.8K的极低温至353K的宽温范围内稳定工作,为科学研究与工业应用提供卓越的精密磁场测量解决方案。

霍尔效应传感器其核心采用了创新的石墨烯材料,利用石墨烯固有的低噪声特性和二维结构,实现了传统传感器难以企及的性能飞跃。具备超高分辨率与超低噪音性能,可在极低温条件下工作,适用于科学研究、医疗健康、航空航天及工业应用。其动态范围大、线性度高、功耗低,能在<1.8 K至353 K的温度范围内提供卓越的磁场测量性能,尤其适合低温环境下的超低功率场测量。该传感器还具有高灵敏度和极低的平面霍尔效应,确保了在多种应用中的精确度与稳定性。

利用石墨烯固有的低噪声特性,无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质很大程度地降低了平面霍尔效应,并且石墨烯的稳定性和电子迁移率提供了超强的温度和磁场工作范围。霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。

SPL Hall Effect Sensor Temperature 霍尔效应传感器,石墨烯,超高分辨率,低噪音,353K
SPL Hall Effect Sensor Sensitivity 霍尔效应传感器,石墨烯,超高分辨率,低噪音,353K

参数:

参数

符号

典型值

单位

备注

最大工作温度范围

T

1.8 至 353

K

在此范围内保证性能,<1.8 K 下仍可工作

可测量磁场范围

B

> ±9

T

参见图2。在 1.8K 时,0–9 T 范围内线性度会降低

开路灵敏度

S

1100

V/AT

室温下。随温度变化见图3

开路霍尔电压

VH

110

mV

I=IN,B=1 T,随温度降低而升高

频谱噪声密度

SDT

7

μT/√Hz

10 Hz,2 VRMS(等效于 I=IN)

0.7

1 kHz,2 VRMS(等效于 I=IN)

0.3

10 kHz,2 VRMS(等效于 I=IN)

0.07

100 kHz,2 VRMS(等效于 I=IN)

基于 1 T 场的分辨率

RSub

7

ppm

10 Hz,2 VRMS(等效于 I=IN)

0.7

1 kHz,2 VRMS(等效于 I=IN)

0.3

10 kHz,2 VRMS(等效于 I=IN)

0.07

100 kHz,2 VRMS(等效于 I=IN)

RMS 噪声

√(T’)

40

μT

0.1 – 10 Hz,2 VRMS(等效于 I=IN)

28

10 – 100 kHz,2 VRMS(等效于 I=IN)

霍尔电压线性度(满量程百分比)

FL

<0.5

%

-1 至 1 T。全范围 0–9 T 见图2

校正后线性度

 

<0.01

%

-1 至 1 T,经过三次校正后

平面霍尔效应

HPL

<10

μT

I=IN,1 T 下

标称供电电流

IN

0.1

mA

最低可工作至 I=10 nA

最大供电电流

Imax

1

mA

 

供电侧内部电阻

RIN

22

B=0 T

霍尔侧内部电阻

ROUT

22

B=0 T

失调电压

VAO

8

mV

典型失调电压,I=IN,B=0 T

0.6

mV

最小失调电压,I=IN,B=0 T

34

mV

最大失调电压,I=IN,B=0 T

灵敏度温度系数

Tcs

-4.7

V/AT/K

室温下,IN

 

 

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